旋片真空泵在半導體刻蝕（shí）工藝中（zhōng）的（de）應用的（de）目的是把經曝光、顯影後光刻膠（jiāo）微圖形中下（xià）層材料的裸露部分去掉，即在下層材料上重現與光刻膠相同（tóng）的圖形（xíng）。刻（kè）蝕是半導體製造工（gōng）藝，微電子IC製造工藝以及微納製造工藝中的一種（zhǒng）相（xiàng）當重要的步驟。是與光刻相聯係的圖形化（huà）處理的一種主（zhǔ）要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解（jiě）就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光（guāng）刻曝光處理，然後通過其它方式實現腐蝕處（chù）理掉所需除去的部分。隨著（zhe）微製造工藝的發展，廣義上來講，刻蝕成了通過溶液（yè）、反應離子或其它機械（xiè）方式來剝離、去（qù）除（chú）材料的一種統稱，成為微加工製造的一種普適叫（jiào）法。

下麵分別介紹Si3N4刻蝕的流程（chéng）：

半導體刻蝕工藝之Si3N4刻蝕（shí）：

在903E刻蝕機中刻蝕，刻蝕機內通入（rù）的氣體有：CF4、NF3、He。氟遊離基的作用是使氮化矽被腐蝕（shí），生成物是氣體，被旋片真空泵抽氣抽走。為了加（jiā）快腐蝕速率可以在CF4中加入少量氧氣（5%-8%），因（yīn）為氧能夠抑製F*在反應腔壁的損失，並且：CF4+O2→F* +O*+COF*+COF2+CO+…… （電離）。COF*壽命較長（zhǎng），當它運動到矽片表（biǎo）麵時發生以下反應從而加速了腐蝕速率：COF*→F* CO （電離），但是氧氣加多（duō）了要腐蝕光刻膠降低（dī）選擇比（bǐ）。

刻蝕是微細加工技術的一個重（chóng）要組成部分，微電子學的快速（sù）發展推動其不斷向前。從總體上（shàng）來說，刻蝕技術可分為幹法刻蝕和濕法刻蝕兩種，初期的刻蝕以濕法刻蝕為主，但隨著器件製作進（jìn）入微米、亞微（wēi）米時代，濕法刻蝕難以滿足越來越高的精度要（yào）求。幹法刻（kè）蝕技術得以很大進展。幹法刻（kè）蝕一般為通過（guò）物理和化學兩個方麵相（xiàng）結合的辦法來去（qù）除被刻蝕的薄膜（mó），因此刻蝕具有各向異性，這就可以從根本上改善濕法所固有的橫（héng）向鑽蝕問題，從而滿足微細線條刻蝕的要求（qiú）。常用的刻蝕方法有很（hěn）多，旋片真空（kōng）技術是其中的一種。半導（dǎo）體刻蝕工藝用旋片真空泵具有（yǒu）刻速快、選擇比高、各向異性高、刻蝕（shí）損傷小、大麵積均勻性好、刻（kè）蝕斷麵輪廓可控性高和刻蝕表麵平整光滑等優點，近年來，德國旋片真空泵被廣泛（fàn）應用在矽、二氧化矽、Ⅲ-Ⅴ族化合物等材料的刻蝕上，取得了（le）很好的刻（kè）蝕效果，可以滿足製作超大（dà）規模集成電路、MEMS、光電子器件等各種（zhǒng）微結構器件（jiàn）的要求。

通過旋片真空泵在半導體刻蝕工藝中的應用這個實例，可（kě）以反映出隨著人們對91视频网站旋片真空泵的進一步了解和設備（bèi）的進一步完（wán）善，真空技術會更加適應刻蝕多樣化的（de）要求（qiú），從而被越來越多地應用到器（qì）件製作工藝中去，成為刻蝕的主流技術，從整體上提高器件的製備水（shuǐ）平，進一步促進器件水平的提高、結構（gòu）的更新和集成度的提高，更好地獲（huò）得一個很好的效果。